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深圳市中达强电炉有限公司
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半导体芯片银线真空退火炉
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半导体芯片银线真空退火炉

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ZDQZK5A-60-800 半导体芯片银线真空退火炉产品介绍

一、 核心产品规格

  • 产品型号:ZDQZK5A-60-800

  • 核心用途:专为半导体芯片银线、精密触点及特种材料设计

  • 额定功率:60KW

  • 最高工作温度:800℃

  • 极限真空度:6.0×10⁻² Pa(高洁净环境)

  • 温度均匀度:±5℃(空载)

  • 有效工作尺寸:700mm(宽)×500mm(深)×500mm(高)

  • 控温系统:2区独立智能控温

  • 炉膛材质:高性能合金炉胆(高洁净、长寿命)

  • 智能控制:15英寸大尺寸触摸屏,集成无纸化数据记录与追溯系统

  • 外观设计:米白色

二、 产品核心优势

  1. 高洁净真空环境:极限真空度达6.0×10⁻² Pa,有效防止材料在高温下氧化、脱碳,确保半导体银线、精密触点等产品表面光亮无污染,满足高端制造对纯净度的严苛要求。

  2. 优异的温度均匀性:在全工作范围内实现±5℃的卓越温场均匀性,结合双区控温,保证批次产品性能的高度一致性,显著提升良品率。

  3. 全流程数字化管理:15寸智能大屏控制系统,实现工艺参数设定、过程实时监控、数据无纸化自动记录与存储。一键生成工艺曲线与生产报表,为品质追溯、工艺优化与系统化管理提供强大数据支持。

  4. 专业合金炉膛设计:采用特殊合金炉胆,耐高温、抗污染,尤其适合铍铜、无氧铜、银基材料等在真空下的精密热处理,炉膛寿命长,维护成本低。

  5. 多功能工艺适应性:一机多用,不仅适用于精密退火,还可兼容真空回火、时效、钎焊等多种热处理工艺,投资回报率高。

  6. 十年专业制造保障:依托“中达强”在真空热处理领域十年的技术积淀,设备性能稳定可靠。

三、 主要应用领域

本设备是以下高端制造与材料处理的核心装备:

  • 半导体与微电子半导体芯片键合银线、引线框架的真空退火与去应力;芯片封装工艺中的热处理。

  • 精密电工合金铍铜、无氧铜等高性能铜合金的真空时效硬化与退火;双金属片、银触点的真空热处理。

  • 高端连接器件:5G通信、航空航天用高性能连接器、航空插头的真空钎焊与退火。

  • 特种材料处理:精密陶瓷(氧化锆、氧化铝)的金属化后处理、特种玻璃及南宝石的真空热处理。


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半导体芯片银线真空退火炉是一种专为半导体制造中银线退火工艺设计的高端设备,主要用于在真空或可控气氛环境下对银线进行热处理,以改善其物理和电学性能。以下是该设备的主要特点、应用及技术参数:


主要特点

  1. 真空环境

    • 可在高真空(如10^-3 Pa至10^-5 Pa)或惰性气体(如氮气、氩气)环境下进行退火,避免银线氧化或污染。

  2. 精确控温

    • 采用PID智能温控系统,温度控制精度可达±0.1°C,确保退火过程稳定可靠。

    • 支持多段程序升温、保温和降温,满足不同工艺需求。

  3. 均匀加热

    • 炉膛设计优化,加热均匀性高,避免局部过热或温度不均导致的性能差异。

  4. 高效冷却系统

    • 配备快速冷却装置(如水冷或气冷),缩短工艺周期,提高生产效率。

  5. 智能化操作

    • 采用触摸屏或计算机控制系统,支持工艺参数设定、数据记录和远程监控。

  6. 安全可靠

    • 具备过温保护、过流保护、真空度异常报警等多重安全功能。


应用领域

  1. 半导体封装

    • 用于银线的退火处理,改善其导电性、延展性和结合强度,提高芯片封装的可靠性。

  2. 微电子制造

    • 适用于其他金属线材(如金线、铜线)的退火处理,优化其性能。

  3. 科研实验

    • 用于材料科学研究,如金属材料的再结晶、应力消除等热处理实验。


技术参数(示例)

参数项典型值或范围
最高温度500°C - 1200°C(根据需求定制)
控温精度±0.1°C
真空度10^-3 Pa - 10^-5 Pa
加热区均匀性±2°C - ±5°C
炉膛尺寸根据需求定制(如500mm×150mm)
冷却方式水冷或气冷
电源要求380V,50Hz/60Hz

优势

  1. 高质量退火效果

    • 真空或惰性气体环境避免氧化,确保银线表面光洁度和性能。

  2. 工艺灵活性

    • 可根据不同材料和要求调整温度曲线和气氛条件。

  3. 高效节能

    • 采用高效加热元件和隔热材料,降低能耗。

  4. 自动化程度高

    • 减少人工干预,提高生产效率和一致性。


总结

半导体芯片银线真空退火炉是半导体封装和微电子制造中不可或缺的关键设备,其高精度控温、均匀加热和真空环境处理能力,能够显著提升银线及其他金属线材的性能,确保半导体器件的高可靠性和稳定性。



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